Нанотехнологии - УрФО

Перейти на основной сайт
ИА ИНВУР Логотип Инновационного портала УрФО
Вы здесь: Главная // Публикации

Создан самый быстрый транзистор

Добавлено: 2014-02-21, просмотров: 615


Самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком, продемонстрировали в действии исследователи из Технологического института Джорджии (США) и Института инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия), передаёт «Компьюлента» со ссылкой на IEEE Electron Device Letters.

Криогенная_зондовая_установка Криогенная зондовая установка для испытания транзисторов нового типа. Фото: Технологический институт Джорджии

Учёные получили кремниево-германиевый транзистор (SiGe), способный функционировать на частоте в 798 ГГц. Это приблизительно на 200 ГГц выше прежнего рекорда, зафиксированного для изделий данного класса. Достижение ещё на один шаг приближает ИТ-отрасль к переходу на терагерцевые микрочипы, работающие на частоте свыше одной тысячи гигагерц.

Экспериментальное изделие представляет собой биполярный гетеротранзистор: в структуру кремниевого транзистора на наноуровне внедрён сплав SiGe. Изделие изготовлено по технологии BiCMOS, предусматривающей использование биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Производственные нормы – 130 нанометров.

Частоты на уровне 800 ГГц удалось достичь в специальной криогенной установке, в которой температура поддерживалась на отметке в 4,3 кельвина, или приблизительно минус 269 градусов Цельсия. При комнатной температуре удалось показать результат в 417 ГГц.

По словам исследователей, их достижение открывает путь к созданию транзисторов, функционирующих на рекордных частотах в обычных температурных условиях.

STRF.ru